• 已选条件：
  • × 2nd International Workshop on Materials Science and Mechanical Engineerin
  • × Low surface roughness
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1 Growth of high quality Ge-on-Si layer by using an ultra-thin LT-Si buffer in RPCVD [会议论文]

作者:Zhang, J.^1;Chen, X.^1;Wang, J.A.^1;等

关键词:Band gap narrowing;Chemical mechanical polishing(CMP);...

会议举办机构:Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory ChongQing, 400060, China^1

会议时间:2019

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